近日，我國的SiC外延片實現了8英寸的突破——廈門大學成功實現了8英寸SiC同質外延生長。

廈門大學國產8英寸SiC外延片亮相

廈門大學成功實現了8英寸碳化硅同質外延生長，成為國內首家擁有并實現該項技術的機構；同時標志著我國已掌握8英寸碳化硅外延生長的相關技術。

據悉，該外延層厚度為12um，厚度不均勻性為2.3%；摻雜濃度為8.4×10¹⁵cm^-3，摻雜濃度不均勻性＜7.5%；表面缺陷（Carrot、Triangle、Downfall、Scratch）密度＜0.5cm^-2。

廈門大學科研團隊負責人表示，該技術的實現是廈門大學與瀚天天成等單位產學研合作的成果，通過克服了8英寸襯底應力更大、更易開裂、外延層厚度均勻性更難控制等問題，成功實現了基于國產襯底的碳化硅同質外延生長。

瀚天天成一直致力于研發生產SiC外延片，其“6-8英寸SiC外延晶片研發與產業化項目”被列為廈門市2023年重點項目之一。根據該公告，2022年8月4日，瀚天天成以2610萬元競得廈門市翔安區2022XG09-G工業用地，將在該地新增75條碳化硅外延晶片生產線（配套尾氣凈化器）、1套純水機組及其他生產設備，預計新增產能年產碳化硅外延晶片30萬片。

昭和電工、東莞天域

8英寸SiC外延片相關進展

除了廈門大學外，昭和電工與東莞天域在8英寸碳化硅外延片上也早有進展：

●昭和電工8英寸SiC外延片開始供樣

2022年9月，昭和電工宣布，他們已成功產出8英寸SiC外延片，并開始提供樣品，采用的是自產的8英寸SiC襯底。

目前，昭和電工SiC外延片市場占有率居世界第一，并且一直致力于使用本公司的襯底進行產品開發，旨在擴大200mm SiC外延片的生產，建立穩定的供應體系，進一步提高產品質量。

●天域半導體建設全球首條8英寸碳化硅外延晶片生產線

2022年4月，松山湖管委會官網公布了《東莞市生態園2022年度土地征收成片開發方案》征求意見稿。擬征收地塊面積6.316公頃，合計94.7畝，以建設天域半導體碳化硅外延材料研發及產業化項目——碳化硅外延關鍵技術的研發及全球首條8英寸碳化硅外延晶片生產線的建設。

項目主要內容為新增產能達100萬片/年的6英寸/8英寸碳化硅外延晶片生產線；8英寸碳化硅外延晶片產業化關鍵技術的研發；6英寸/8英寸碳化硅外延晶片的生產和銷售。項目計劃2022年動工，預計2025年竣工并投產。

來源：行家說三代半